ZXMC3AMCTA参数：MOSFET N+P 30V 2.9A/2.1A DFN
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：N 和 P 沟道FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.9A，2.1A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：120 毫欧 @ 2.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：3.9nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：190pF @ 25V功率 - 最大值：1.5W安装类型：表面贴装封装：8-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装：8-DFN（3x2）
