ZXMN3F31DN8TA参数：MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL
类别：分立半导体产品-FET - 阵列PCNDesign/Specification： WaferSite/BondWire8/Apr/2013标准包装：500系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5.7A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：24毫欧@7A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：12.9nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：608pF@15V功率-最大值：1.25W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SOP
ZETEXSOP82023+93350全新原厂原装现货