ZXMN6A09DN8TA参数：MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：500系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：60V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4.3A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：40 毫欧 @ 8.2A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：24.2nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1407pF @ 40V功率 - 最大值：1.25W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：8-SOP