| 型号 | J112G |
| 厂家 | ON Semiconductor |
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J112G中文资料描述：
TRANS GP JFET N-CH 35V TO-92
类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应
标准包装：1,000
系列：-
包装：散装
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：5mA @ 15V
漏源极电压 (Vdss)：-
漏极电流 (Id) - 最大值：-
FET 类型：N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：35V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：1V @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
电阻 - RDS（开）：50 欧姆
安装类型：通孔
封装：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商器件封装：TO-92-3
功率 - 最大值：350mW
TRANS GP JFET N-CH 35V TO-92
类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应
标准包装：1,000
系列：-
包装：散装
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：5mA @ 15V
漏源极电压 (Vdss)：-
漏极电流 (Id) - 最大值：-
FET 类型：N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：35V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：1V @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
电阻 - RDS（开）：50 欧姆
安装类型：通孔
封装：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商器件封装：TO-92-3
功率 - 最大值：350mW
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