| 型号 | N0604N-S19-AY |
| 厂家 | Renesas Electronics America |
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N0604N-S19-AY中文资料描述：
MOSFET N-CH 60V 82A TO-220
类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1
系列：-
包装：*
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：82A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：6.5 毫欧 @ 41A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：75nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4150pF @ 25V
功率 - 最大值：1.5W
安装类型：*
封装：*
供应商器件封装：*
MOSFET N-CH 60V 82A TO-220
类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1
系列：-
包装：*
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：82A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：6.5 毫欧 @ 41A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：75nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4150pF @ 25V
功率 - 最大值：1.5W
安装类型：*
封装：*
供应商器件封装：*
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