2N5639RLRAG参数：TRANSISTOR JFET N-CH 30V TO-92
类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应产品变化通告： ProductDiscontinuation02/Jan/2007标准包装：1,000系列：-包装：带卷(TR)不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)：25mA@20V漏源极电压(Vdss)：30V漏极电流(Id)-最大值：-FET类型：N沟道电压-击穿(V(BR)GSS)：35V不同Id时的电压-截止（VGS关）：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：10pF@12V（VGS）电阻-RDS（开）：60欧姆安装类型：通孔封装：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线供应商器件封装：TO-92-3功率-最大值：310mW
