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AO9926B

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AO9926B
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AO9926B参数：MOSFET DUAL N-CH 20V 7.6A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
其它图纸： AO4xxxSeries8-SOICTop AO4xxxSeries8-SOICEnd AO4xxxSeries8-SOICSide
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：7.6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：23毫欧@7.6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：8.8nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：630pF@10V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOIC

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