AO9926B参数：MOSFET DUAL N-CH 20V 7.6A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列其它图纸： AO4xxxSeries8-SOICTop AO4xxxSeries8-SOICEnd AO4xxxSeries8-SOICSide标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：7.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：23毫欧@7.6A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：8.8nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：630pF@10V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SOIC
