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AOD606

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AOD606 优势库存
AOD
TO252-4.5
2023+
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AOD606L
AO
TO-252
2023+
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AOS万代
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AOS
TO-252-4L
2023+
26000
FET - 阵列
相关型号： AOD604 AOD603A AOD5N50 AOD5N40 AOD5B60D AOD518

AOD606
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AOD606参数：MOSFET N/P-CH COMPL 40V TO252-4

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品目录绘图： AOD606SeriesTO-252-4Front AOD606SeriesTO-252-4Side
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：N和P沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：33毫欧@8A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：9.2nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：404pF@20V
功率-最大值：20W，30W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-5，DPak（4引线+接片），TO-252AD
供应商器件封装：TO-252-4L

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