AOD606参数：MOSFET N/P-CH COMPL 40V TO252-4
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品目录绘图： AOD606SeriesTO-252-4Front AOD606SeriesTO-252-4Side标准包装：2,500系列：-包装：带卷(TR)FET类型：N和P沟道FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：40V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：33毫欧@8A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：9.2nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：404pF@20V功率-最大值：20W，30W安装类型：表面贴装封装：TO-252-5，DPak（4引线+接片），TO-252AD供应商器件封装：TO-252-4L
