AON3814参数：MOSFET N-CH 20V 6A 8DFN
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：2 N 沟道（双）共漏FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：17 毫欧 @ 6A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1100pF @ 10V功率 - 最大值：2.5W安装类型：表面贴装封装：8-SMD，扁平引线供应商器件封装：8-DFN (2.9x2.3)
