AON3816参数：MOSFET DUAL N-CH 20V 4A 8-DFN
类别：分立半导体产品-FET - 阵列其它图纸： AON3xxxSeries8-DFNTop AON3xxxSeries8-DFNSide AON3xxxSeries8-DFNEnd标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：22毫欧@4A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1315pF@10V功率-最大值：1.4W安装类型：表面贴装封装：8-SMD，扁平引线供应商器件封装：8-DFN(2.9x2.3)