AON5802A参数：MOSFET DUAL N-CH 30V 7.2A 6-DFN
类别：分立半导体产品-FET - 阵列其它图纸： AON5802A6-DFNTop AON5802A6-DFNSide AON5802A6-DFNBottom标准包装：5,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：7.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：20毫欧@7.2A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10.7nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1115pF@15V功率-最大值：1.7W安装类型：表面贴装封装：6-SMD，扁平引线裸焊盘供应商器件封装：6-DFN-EP（2x5）
