AON5802B

AON5802B
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AON5802B参数：MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：5,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 N 沟道（双）共漏
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：7.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：19 毫欧 @ 7A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：24nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1150pF @ 15V
功率 - 最大值：1.6W
安装类型：表面贴装
封装：6-SMD，扁平引线裸焊盘
供应商器件封装：6-DFN-EP（2x5）