AON5810参数:MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN
类别:分立半导体产品-FET - 阵列标准包装:5,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:2 N 沟道(双)共漏FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7.7A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):18 毫欧 @ 7.7A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):13.1nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1360pF @ 10V功率 - 最大值:1.6W安装类型:表面贴装封装:6-SMD,扁平引线裸焊盘供应商器件封装:6-DFN-EP(2x5)