AON5810参数：MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：5,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：2 N 沟道（双）共漏FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：7.7A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：18 毫欧 @ 7.7A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13.1nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1360pF @ 10V功率 - 最大值：1.6W安装类型：表面贴装封装：6-SMD，扁平引线裸焊盘供应商器件封装：6-DFN-EP（2x5）
