AON7932参数：MOSFET 2N-CH 30V 26A/35A DFN3X3A
类别：分立半导体产品-FET - 阵列特色产品： AON793230VDualAsymmetric标准包装：5,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2N沟道（非对称桥）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：26A，35A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：20毫欧@6.6A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6.5nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：460pF@15V功率-最大值：1.4W安装类型：表面贴装封装：8-WDFN裸露焊盘供应商器件封装：8-DFN-EP（3x3）