AOP605参数：MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-PDIP
类别：分立半导体产品-FET - 阵列其它图纸： AOP6xxSeries8-PDIPEnd AOP6xxSeries8-PDIPSide标准包装：50系列：-包装：管件FET类型：N和P沟道FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：7.5A，6.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：28毫欧@7.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：16.6nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：820pF@15V功率-最大值：2.5W安装类型：通孔封装：8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装：8-PDIP
