BSO615C

BSO615C G
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BSO615C G参数：MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：2,500
系列：SIPMOS®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.1A，2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：110 毫欧 @ 3.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 20µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：22.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：380pF @ 25V
功率 - 最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：PG-DSO-8