BSP296E6327参数：MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008标准包装：1,000系列：SIPMOS®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：700毫欧@1.1A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.8V@400µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：17.2nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：364pF@25V功率-最大值：1.79W安装类型：表面贴装封装：TO-261-4，TO-261AA供应商器件封装：PG-SOT223-4
