BSS123LT1G参数：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： WireChangeforSOT23Pkg26/May/2009标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：170mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：6欧姆@100mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.8V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：20pF@25V功率-最大值：225mW安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）