BSS192P

BSS192P L6327
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BSS192P L6327参数：MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1,000
系列：SIPMOS®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：250V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：190mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：12 欧姆 @ 190mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 130µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.1nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：104pF @ 25V
功率 - 最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装：TO-243AA
供应商器件封装：PG-SOT89-4