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CSD16323Q3

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TI
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相关型号： CSD16322Q5C CSD16322Q5 CSD16321Q5C CSD16321Q5 CSD16301Q2 CSD10060G

CSD16323Q3
PDF资料下载

CSD16323Q3参数：MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： NexFETMOSFETTechnology
视频文件： NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview
设计资源： CreateyourpowerdesignnowwithTI’sWEBENCH?Designer
标准包装：2,500
系列：NexFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：25V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：60A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.5毫欧@24A，8V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：8.4nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1300pF@12.5V
功率-最大值：3W
安装类型：表面贴装
封装：8-TDFN裸露焊盘
供应商器件封装：8-SON

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