CSD16323Q3C参数：MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： NexFETMOSFETTechnology视频文件： PowerStack?PackagingTechnologyOverview设计资源： CreateyourpowerdesignnowwithTI’sWEBENCH?Designer标准包装：2,500系列：NexFET™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：25V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：60A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.5毫欧@24A，8V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：8.4nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1300pF@12.5V功率-最大值：3W安装类型：表面贴装封装：8-TDFN裸露焊盘供应商器件封装：8-SON裸露焊盘（3x3）
