DI9000BBCZ

DI9400T
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DI9400T参数：MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它图纸： SO-8PackageTop SO-8PackageSide1 SO-8PackageSide2
标准包装：1
系列：-
包装：剪切带(CT)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：130毫欧@1A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.8V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：25nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：350pF@10V
功率-最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-TSOP（0.130"，3.30mm宽）
供应商器件封装：8-SO