DI9942T参数:MOSFET N+P 20V 2.5A 8-SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 阵列其它图纸: SO-8PackageTop SO-8PackageSide1 SO-8PackageSide2标准包装:1系列:-包装:剪切带(CT)FET类型:N和P沟道FET功能:标准漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):2.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):-不同Id时的Vgs(th)(最大值):-不同Vgs时的栅极电荷(Qg):-不同Vds时的输入电容(Ciss):-功率-最大值:1.6W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)供应商器件封装:8-SOP