DI9952T参数：MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列其它图纸： SO-8PackageTop SO-8PackageSide1 SO-8PackageSide2标准包装：1系列：-包装：剪切带(CT)FET类型：N和P沟道FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.9A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：-不同Id时的Vgs(th)（最大值）：-不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：-功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SOP
