DMC3025LSD-13参数:MOSFET N/P-CH 30V 8SO
类别:分立半导体产品-FET - 阵列PCNDesign/Specification: WaferSite/BondWire8/Apr/2013标准包装:2,500系列:-包装:带卷(TR)FET类型:N和P沟道FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):6.5A,4.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):20毫欧@7.4A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):9.8nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):501pF@15V功率-最大值:1.2W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)供应商器件封装:8-SO