DMC3035LSD-13参数：MOSFET COMPL PAIR 2000MW 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列PCNObsolescence： DiscreteFamily16/Aug/2010标准包装：2,500系列：-包装：带卷(TR)FET类型：N和P沟道FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.9A，5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：35毫欧@6.9A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：8.6nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：384pF@15V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SOP
