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DMG1012T-7

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DMG1012T-7
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DMG1012T-7参数：MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：630mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：400毫欧@600mA，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：0.74nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：60.67pF@16V
功率-最大值：280mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-523
供应商器件封装：SOT-523

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