DMG1012UW

DMG1012UW-7
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DMG1012UW-7参数：MOSFET N-CH 20V 1A SOT323

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNDesign/Specification： BondWire3/May/2011
PCNOther： MultipleDeviceChanges29/Apr/2013
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：450毫欧@600mA，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：0.74nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：60.67pF@16V
功率-最大值：290mW
安装类型：表面贴装
封装：SC-70，SOT-323
供应商器件封装：SOT-323