DMN2008LFU-7

DMN2004DMK-7
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DMN2004DMK-7参数：MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-26

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品目录绘图： SOT-26PackageTop SOT-26PackageSide1 SOT-26PackageSide2
PCNDesign/Specification： BondWire3/May/2011
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：540mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：550毫欧@540mA，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：150pF@16V
功率-最大值：225mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-23-6
供应商器件封装：SOT-26