DMN26D0UT-7参数:MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
类别:分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification: BondWire11/Nov/2011标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):230mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):3欧姆@100mA,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):-不同Vds时的输入电容(Ciss):14.1pF@15V功率-最大值:300mW安装类型:表面贴装封装:SOT-523供应商器件封装:SOT-523