DMN26D0UDJ-7参数：MOSFET 2N-CH 20V 230MA SOT963
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：10,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：230mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3 欧姆 @ 100mA，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：14.1pF @ 15V功率 - 最大值：300mW安装类型：表面贴装封装：SOT-963供应商器件封装：SOT-963
