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DMN26D0UFB4

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相关型号： DMN26D0UDJ-7 DMN2500UFB4-7 DMN2400UV-7 DMN2400UFD-7 DMN2400UFB-7 DMN2400UFB4-7

DMN26D0UFB4-7
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DMN26D0UFB4-7参数：MOSFET N-CH 20V 230MA DFN

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：230mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3欧姆@100mA，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：14.1pF@15V
功率-最大值：350mW
安装类型：表面贴装
封装：3-XFDFN
供应商器件封装：3-DFN1006H4（1.0x0.6）

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