DMN3033LSNQ-7

DMN3033LSN-7
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DMN3033LSN-7参数：MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： SC-59PackageTop
PCNDesign/Specification： BondWire23/May/2008 BondWire11/Nov/2011
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：30毫欧@6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10.5nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：755pF@10V
功率-最大值：1.4W
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SC-59-3