DMP21D0UFB4-7B参数：MOSF P CH 20V 770MA DFN1006H4-3
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：10,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：770mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：495 毫欧 @ 400mA，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.54nC @ 8V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：80pF @ 10V功率 - 最大值：430mW安装类型：表面贴装封装：3-XFDFN供应商器件封装：3-DFN1006H4（1.0x0.6）
