EPC2012参数:TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
类别:分立半导体产品-FET - 单应用说明: SecondGenerationeGaN®FETs AssemblingeGaN®FETS UsingeGaN®FETs产品培训模块: ParallelingeGaN?FETs产品变化通告: EPC20xxMaterialChange10/Apr/2013视频文件: EPCeGaNFETs--AnotherGeekMoment|DigiKey标准包装:1,000系列:eGaN®包装:带卷(TR)FET类型:GaNFETN通道,氮化镓FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):200V电流-连续漏极(Id)(25°C时):3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):100毫欧@3A,5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):1.5nC@100V不同Vds时的输入电容(Ciss):128pF@100V功率-最大值:-安装类型:表面贴装封装:模具供应商器件封装:模具配用:917-1013-ND-BOARDDEVFOREPC2012200VEGAN