EPC2012参数：TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
类别：分立半导体产品-FET - 单应用说明： SecondGenerationeGaN®FETs AssemblingeGaN®FETS UsingeGaN®FETs产品培训模块： ParallelingeGaN?FETs产品变化通告： EPC20xxMaterialChange10/Apr/2013视频文件： EPCeGaNFETs--AnotherGeekMoment|DigiKey标准包装：1,000系列：eGaN®包装：带卷(TR)FET类型：GaNFETN通道，氮化镓FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：200V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：100毫欧@3A，5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：1.5nC@100V不同Vds时的输入电容(Ciss)：128pF@100V功率-最大值：-安装类型：表面贴装封装：模具供应商器件封装：模具配用：917-1013-ND-BOARDDEVFOREPC2012200VEGAN
