FDC6561AN参数：MOSFET N-CHAN DUAL 30V SSOT6
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： MoldCompound08/April/2008标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：95毫欧@2.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：3.2nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：220pF@15V功率-最大值：700mW安装类型：表面贴装封装：SOT-23-6细型，TSOT-23-6供应商器件封装：6-SSOT
