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FDFM2P110

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相关型号： FDFM2N111 FDFC3N108 FDFC2P100 FD-FA93 FD-F8Y FD-F71

FDFM2P110
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FDFM2P110参数：MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：3,000
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：二极管（隔离式）
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：140毫欧@3.5A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：4nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：280pF@10V
功率-最大值：800mW
安装类型：表面贴装
封装：6-MLP，Power33
供应商器件封装：MicroFET3x3mm

FDFM2P110

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