FDFM2P110参数：MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：二极管（隔离式）漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：140毫欧@3.5A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：4nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：280pF@10V功率-最大值：800mW安装类型：表面贴装封装：6-MLP，Power33供应商器件封装：MicroFET3x3mm
