FDG316P参数：MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007 MoldCompound07/May/2008标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：190毫欧@1.6A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：5nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：165pF@15V功率-最大值：480mW安装类型：表面贴装封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：SC-70-6
