FDG332PZ参数：MOSFET P-CH 20V 2.6A SC70-6
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007 MoldCompound07/May/2008标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平栅极，1.5V驱动漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：95毫欧@2.6A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10.8nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：560pF@10V功率-最大值：480mW安装类型：表面贴装封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：SC-70-6
