FDG6318P参数：MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007 MoldCompound07/May/2008标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个P沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：500mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：780毫欧@500mA，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：1.2nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：83pF@10V功率-最大值：300mW安装类型：表面贴装封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：SC-70-6