FDMC8026S参数:MOSFET N-CH 30V 19A 8MLP
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:1系列:PowerTrench®, SyncFET™包装:Digi-Reel®FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):19A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4.4 毫欧 @ 19A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):52nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3165pF @ 15V功率 - 最大值:2.4W安装类型:表面贴装封装:8-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装:8-MLP(3.3X3.3),Power33