FDMC8030参数:MOSFET N-CH 40V DUAL 8MLP
类别:分立半导体产品-FET - 阵列标准包装:3,000系列:PowerTrench®包装:带卷 (TR)FET 类型:2 个 N 沟道(双)FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):40V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):12A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):10 毫欧 @ 12A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1975pF @ 20V功率 - 最大值:800mW安装类型:表面贴装封装:8-PowerWDFN供应商器件封装:8-MLP(3.3X3.3),Power33