FDMC86116LZ参数：MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-MLP
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.3A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：103 毫欧 @ 3.3A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：310pF @ 50V功率 - 最大值：2.3W安装类型：表面贴装封装：8-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装：8-MLP（3.3X3.3），Power33
