FDMQ8203参数：MOSFET N/P-CH 100V DUAL 12-MLP
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：GreenBridge™ PowerTrench®包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N?通道和 2 个 P 通道（H 桥）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：100V，80V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.4A，2.6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：110 毫欧 @ 3A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：210pF @ 50V功率 - 最大值：2.5W安装类型：表面贴装封装：12-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装：*
