FDMS86101参数：MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification： Materials14/Apr/2009标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8毫欧@13A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：55nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：3000pF@50V功率-最大值：2.5W安装类型：表面贴装封装：8-PQFN，Power56供应商器件封装：Power56
